Intel ставит рекорды миниатюризации
Несколько десятилетий назад Гордон Мур, бывший тогда председателем совета директоров Intel, сформулировал закономерность, согласно которой плотность размещения транзисторов в коммерческих микросхемах удваивается каждые полтора-два года. С тех пор закон Мура исправно действовал, и в настоящее время наиболее передовая технология предусматривает выпуск чипов с размером элемента 90 нм. Сокращая размеры до 65 нм, Intel рассчитывает благодаря этому значительно повысить быстродействие и емкость чипов памяти.
Ожидается, что новый технологический процесс будет запущен в производство в будущем году. Пока он проходит стадию обкатки и совершенствования – по словам представителей Intel, корпорации недавно удалось изготовить микросхемы статической памяти (SRAM) емкостью 70 млн бит. Для сравнения: в ноябре прошлого года наивысшим достижением при использовании 65-нм технологии был чип на 4 млн бит. Объявлено также, что по сравнению с нынешним поколением промышленных чипов Intel в новых микросхемах на 30% была сокращена длина затвора транзистора. “Закон Мура действует и сегодня”, – констатировал Марк Бор, директор Intel по микропроцессорной архитектуре и интеграции.
Выдерживать темп, диктуемый законом Мура, производителям было очень нелегко. И хотя в течение ближайшего десятилетия им это, по-видимому, все еще будет удаваться, в дальнейшем прогресс в данной области должен будет замедлиться или даже остановиться.
Одним из самых серьезных технических препятствий на пути миниатюризации микросхем остается утечка электрического тока при так называемой отсечке транзисторов. Утечки ведут к повышению тепловыделения и другим нежелательным явлениям вроде снижения срока службы батареек.
Марк Бор утверждает, что инженеры Intel сумели реализовать новую технологию разделения атомов кремния, что позволило на четверть сократить ток утечки без сокращения быстродействия транзисторов или же повысить быстродействие на 10–15% без увеличения тока утечки по сравнению с нынешним поколением чипов.
Новая технология предусматривает также использование “спящих” транзисторов – элементов, отключающих ток от бездействующих в данный момент электрических цепей микросхемы. Это существенно уменьшает энергопотребление устройства. (WSJ, 30.08.2004, Александр Силонов)