"Роснано" и французская Crocus договорились от строительстве в России производства памяти MRAM

"Роснано" и французская Crocus Technology объявили о заключении инвестиционного соглашения о создании в России производства памяти MRAM следующего поколения на общую сумму $300 млн, говорится в сообщении российской компании.

Партнеры создадут компанию Crocus Nano Electronics (CNE), которая построит в России первый в мире завод по производству памяти MRAM средней и высокой плотности с проектными нормами 90 и 65 нанометров с применением технологии термического переключения (Thermally Assisted Switching - TAS), разработанной Crocus.

"Проект <...> станет первым в России предприятием для обработки 300-миллиметровых кремниевых пластин. Но наш проект, ориентированный на глобальный рынок, больше, чем просто трансфер технологий", - подчеркнул управляющий директор "Роснано" Дмитрий Лисенков, чьи слова приводит компания.

В ближайшие два года CNE планирует запустить завод, способный выпускать до 500 пластин памяти в неделю. На втором этапе инвестиций его мощность будет увеличена до 1000 пластин в неделю.

"Роснано" планирует инвестировать в проект до 3,8 млрд руб. На первом этапе компания и соинвесторы - венчурные фонды CDC Innovation, Ventech, IDInvest Partners, NanoDimension и Sofinnova Ventures - вложат в уставный капитал CNE $55 млн. Еще около $125 млн участники проекта проинвестируют в строительство завода. На последующих этапах в проект планируется дополнительно инвестировать $120 млн, которые пойдут на расширение производства и в перспективе на совершенствование технологического процесса до норм 45 нанометров.

В 2015 г. совокупный оборот создаваемой компании, исключая внутригрупповой, превысит 6 млрд руб., сказал Лисенков "РИА Новости". По его словам, в настоящее время рассматриваются две площадки для размещения проекта: Зеленоград и Калининградская область.

Кроме этого также запланировано создание образовательного центра и центров разработки и подготовки к производству в России новой компьютерной памяти и систем на чипе (system-on-chip, SOC).

Магниторезистивная оперативная память (MRAM - magnetoresistive random-access memory) считается одной из перспективных технологий будущего. Она сочетает ряд достоинств как оперативной компьютерной DRAM-памяти (высокая производительность, практически бесконечное число циклов перезаписи, невысокое энергопотребление), так и Flash-памяти (энергонезависимость). Благодаря тому что в MRAM-памяти для хранения данных не используются, как во Flash-памяти, разнонаправленные электрические заряды, соответствующие двоичным "0" и "1", она устойчива к воздействию радиации и способна работать в широком интервале температур.

Выбор редактора