IBM снизила расстояние между транзисторами микросхемы до 7 нм

Разработчики микросхем, постоянно пытающиеся сделать их более компактными, сталкиваются на этом пути со все более серьезными трудностями, однако исследователи из IBM утверждают, что им удалось преодолеть ряд таких проблем и продвинуться дальше конкурентов. В четверг корпорация объявила, что она освоила технологию, позволяющую более плотно размещать компоненты на кремниевой пластине, сократив расстояние между ними до 7 нм.

Аналитики предупреждают, что новые чипы IBM, прототипы которых созданы на оборудовании нового поколения, возможно, не будут производиться в больших количествах. Тем не менее разработки «голубого гиганта» побуждают Intel и других конкурентов совершенствовать свои технологии. «Это вселяет в участников рынка веру и создает нужный стимул», – говорит Ричард Дохерти, аналитик из Envisioneering Group.

IBM поясняет, что для дальнейшего улучшения характеристик ее мейнфреймов и других серверных систем ей нужны более совершенные микросхемы. Но в прошлом году компания пришла к выводу, что поддержание заводов по производству чипов обходится ей слишком дорого. В результате IBM заключила соглашение с компанией Globalfoundries, по которому та получала $1,5 млрд и заводы IBM в штатах Вермонт и Нью-Йорк.

В 2014 г. было объявлено, что заводы IBM потратят $3 млрд на исследования в области полупроводниковых технологий, причем работа будет вестись в основном на производственных предприятиях университета штата Нью-Йорк в Олбани. В разработках последних лет IBM сотрудничала с исследователями из разных компаний, включая Globalfoundries и Samsung Electronics. Эти компании уже более 10 лет участвуют в совместных проектах в рамках инициативы Global Platform.

Создатели микросхем постоянно пытаются уменьшить компоненты своих продуктов и повысить мощность. Сейчас в массовом производстве расстояние между компонентами чипов сократилось до 14 нм. Однако продолжать гонку миниатюризации становится все сложнее. Даже Intel, традиционно старавшаяся представлять новые производственные нормы каждые два года, вышла из этого графика, опоздав с созданием 14-нанометровых чипов на полгода. Сейчас Intel работает над 10-нанометровой технологией, которая, как ожидается, будет внедрена в производство в 2016 г.

На заводах IBM, переданных теперь Globalfoundries, изготовлялись 20-нанометровые чипы, а новые разработки должны снизить проектные нормы до 7 нм. Число транзисторов, содержащихся в одном чипе, при этом вырастет с нескольких миллиардов до 20 млрд. При изготовлении прототипов новых чипов IBM впервые использовала новый тип кремниево-германиевого сплава. Но в коммерческое производство такие изделия вряд ли будут запущены ранее чем через несколько лет. «Перейти от этой стадии к массовому производству – грандиозная задача для отрасли», – говорит Дэн Хатчесон, аналитик из VLSI Research.

Литографическое оборудование, с помощью которого IBM изготовляет новые чипы, использует так называемый глубокий ультрафиолет (EUV), но такое оборудование в несколько раз дороже. Представители Intel заявляют, что компания намерена освоить производство 7-нанометровых чипов, не прибегая к EUV.

WSJ, 9.07.2015, Александр Силонов