Intel усовершенствует память
Корпорация Intel разрабатывает новую архитектуру компьютерной оперативной памяти, основанную на оригинальной технологии, предложенной 79-летним изобретателем Стэнфордом Овшински.
На проходящей на этой неделе конференции в Сан-Франциско Intel обсудила ход работ по новой технологии, получившей название "овоника" и, возможно, способной произвести революцию в вычислительной технике.
В 1960-х гг. Овшински начал исследовать материалы, способные переходить из аморфного состояния, характеризующегося неупорядоченным расположением атомов, в кристаллическую форму с четкой структурой. Такие фазовые превращения можно использовать для кодирования нулей и единиц информации в цифровых системах.
Принадлежащая Овшински компания Energy Conversion Devices (ECD) использовала исследованный ею эффект для создания солнечных батарей, однако серьезного коммерческого успеха не добилась. ECD передала лицензии на свою технологию ряду других компаний, которые применили ее сперва в никель-гидридных батареях, а позднее - в перезаписываемых компакт-дисках. При записи данных на компакт-диск лазерный луч изменяет фазу вещества на микроскопических участках поверхности. В микросхемах памяти похожее преобразование осуществляется под действием электрического тока.
Идеи Овшински привлекли Тайлера Лоуэри, бывшего директора по технологиям компании Micron Technology, выпускающей микросхемы памяти. Micron образовала с ECD совместное предприятие - компанию Ovonyx, которая два года назад получила инвестиции от Intel.
В настоящее время Intel производит микросхемы флэш-памяти, способные сохранять свое содержимое даже после отключения электропитания. Но эти микросхемы обладают невысокой производительностью, поскольку перед записью в них новой информации старую необходимо стереть. Кроме того, данные можно записать во флэш-память всего порядка 1 млн раз - после этого микросхемы изнашиваются.
По словам Стефана Лея, вице-президента Intel, возглавляющего проект, связанный с овонной памятью, этот новый вид памяти лишен указанных недостатков и отличается рядом дополнительных преимуществ. При изготовлении овонной памяти используется слой особого сплава, чалкогенида, добавляемый в структуру обычной полупроводниковой микросхемы. Новая память позволяет в несколько раз ускорить запись и чтение данных по сравнению с флэш-технологией, к тому же число циклов записи информации оказывается практически неограниченным.
"Мы уже продемонстрировали возможность перезаписывать данные триллион раз", - говорит Лей. Еще одним достоинством новых микросхем является их компактность по сравнению с традиционными кристаллами. Инженеры Intel добились дополнительной экономии пространства в овонной памяти, используя в качестве переключателей не транзисторы, а диоды, размеры которых в три раза меньше.
В понедельник компании Intel, Ovonyx и Azalea Microelectronics представили на международной конференции по твердотельным микросхемам (ISSCC) описание прототипа микросхемы овонной памяти, обеспечивающей надежное хранение 4 млн бит информации. Стефан Лей уверен в том, что овонная память в течение трех-пяти лет может заменить традиционную флэш-память в таких устройствах, как сотовые телефоны.
Если прогноз Лея оправдается, это станет впечатляющей победой изобретателя овоники. По словам Овшински, основатели Intel Гордон Мур и Роберт Нойс приходили к нему для обсуждения его работы еще до создания Intel. "Теперь круг замкнулся", - подытожил изобретатель.
Но важнейшим проектом для Intel сейчас является 64-разрядный процессор McKinley, который должен появиться на рынке в середине года. "Этот продукт покажет серьезность наших планов в области 64-разрядных вычислений", - утверждает Пэт Гелсинджер, директор Intel по технологиям. Благодаря увеличенному объему кэш-памяти, расположенной непосредственно на кристалле процессора, McKinley должен работать в полтора-два раза быстрее, чем уже выпускаемый процессор Itanium, продажи которого пока идут вяло. (WSJ, 4. 02. 2002)